吸入四氟化碳的后果與濃度有關(guān),包括頭1痛、惡心、頭昏眼花及心1血管系統(tǒng)的破壞(主要是心臟)。長(zhǎng)時(shí)間接觸會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的心臟破壞。因?yàn)樗姆己退姆?硅都是共價(jià)化合物,然而碳氟鍵的鍵能遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于硅氟鍵的鍵能,鍵長(zhǎng)也是前者短得多,所以四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好。含鎂大于2%的合金不能用。在高溫,一些金屬起加速CF4分解的催化作用。按其催化作用增長(zhǎng)的次序由小到大地排列則如下:因科鎳合金、奧氏體不銹鋼、鎳、鋼、鋁、銅、青銅、黃銅、銀。
四氯化4碳與氟化1氫的反應(yīng)在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進(jìn)行,反應(yīng)后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體,再通過(guò)冷凍,用硅膠除去氣體中的水分經(jīng)精餾而得成品。對(duì)于硅和二氧化硅體系,采用CF4-H2反應(yīng)離子刻蝕時(shí),通過(guò)調(diào)節(jié)兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好。
四氟化碳貯存注意事項(xiàng):氣瓶使用和檢驗(yàn)遵照《氣瓶安全監(jiān)察規(guī)程》的規(guī)定。氣瓶?jī)?nèi)的氣體不能全部用盡,應(yīng)該留不小于0.04MPa剩余壓力。四氟化碳對(duì)于硅和二氧化硅體系,采用CF4-H2反應(yīng)離子刻蝕時(shí),通過(guò)調(diào)節(jié)兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。四氟化碳是當(dāng)前微電子工業(yè)中應(yīng)用量高的等離子體蝕刻氣體,被廣泛應(yīng)用在硅、氮化硅、磷硅玻璃等薄膜材料的蝕刻。除此之外,四氟化碳還能在電子電器表面清洗、激光、低溫制冷、太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域有著應(yīng)用。
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